Taiwani United Daily News teatel teatas Lõuna-Aasia haru peadirektor Li Peiying 10. päeval, et on lõpetanud 10-nanomeetrise DRAM-tehnoloogia sõltumatu uurimise ja arendamise ning alustab proovitootmist selle aasta teisel poolel.
On teada, et globaalseid DRAM-mälukiipasid kontrollivad peamiselt Samsung, SK Hynix ja Micron. Nende osakaal on üle 95%. Peamine põhjus on see, et need kolm tehnoloogiapatenti moodustavad väga kõrge läve. Teistel ettevõtetel on keeruline läbi murda. .
Lõuna-Aasia haru keskendub nüüd 20nm tehnoloogiale ja tehnoloogia allikaks on Micron. Nanya 10-nanomeetrise protsessi juurutamisega iseseisvasse tehnoloogiasse tähendab see, et see ei sõltu tulevikus enam Microni autoriseerimisest ja iga toote töötab välja ettevõte ise. Kulud on oluliselt vähenenud.
Li Peiying ütles, et Nanyake on edukalt välja töötanud uue mälutootmise tehnoloogia 10nm DRAM-i jaoks, mis on võimaldanud DRAM-toodete säästvat kahanemist vähemalt kolmel ajastul. Esimese põlvkonna 10nm plii tooted, 8 Gb DDR4, LPDDR4 ja DDR5, ehitatakse sõltumatutele protsessitehnoloogiatele ja tootmistehnoloogia platvormidele ning nad alustavad toote proovitootmist pärast 2020. aasta teist poolt.
Teise põlvkonna 10-nanomeetrise protsessitehnoloogiaga on alustatud teadus- ja arendustegevust ning proovitootmine loodetakse kasutusele võtta aastaks 2022. Kolmanda põlvkonna 10-nanomeetrist protsessitehnoloogiat arendatakse tulevikus. Ta rõhutas, et pärast 10-nanomeetrise protsessi sisenemist keskendub Nanya iseenda väljatöötatud tehnoloogiale, vähendab litsentsimiskulusid ja suurendab oluliselt tõhusust.
Kooskõlas 10-nanomeetrise protsessi arenguga on Nanya kapitalikulud eelmisel aastal suuremad kui 5,5 miljardit jüaani. Li Peiying ütles, et lisaks kulude parandamisele aitab Nanya 10-nanomeetrise protsessitehnoloogia edukas sõltumatu arendamine haarata ka arenguvõimalusi ja tehnoloogia arengut kõrge tihedusega uute toodete suunas.